Aktuálně se na trhu objevuje nová generace SSD s čipy až o 176 vrstvách. Co bude dál?
V první řadě, příznivci MLC mají smůlu. 2-bit na buňku jsou zjevně minulosti. Pro extrémně rychlé potřeby se budou používat malých SLC (1-bit na buňku), ale hlavní technologií u rychlých a kvalitních SSD s NAND bude budou nadále TLC (3 bity na buňku). SAMSUNG je, jak jistě víte, největším výrobcem NAND čipů na světě a sám vyrábí i vlastní SSD disky.
Aktuálně podrobněji představil svou V7 generaci vrstvených čipů (V-NAND). Ta se začne objevovat na trhu u nové generace SSD disků v následujících týdnech a měsících, tedy především v první polovině příští roku. Co nabízí? 176 vrstev na 512 Gbit kapacitě. Hustota tak dosahuje 8,5 Gb/mm2, což je o poznání více, než u předchůdce. Aktuálně rozšířené V-NAND 6 má 128 vrstev, a najdeme jej u mnoha kvalitních a populárních SSD disků, kde ty čipy mají hustotu jen 5Gb/mm2. Jsou také o poznání pomalejší, nějakých 82MB/s proti nově 184 MB/s v případě V7.
Každopádně nadcházející generace SSD, která začne přicházet na trh z kraje příštího roku, využije tedy nových 176 vrstvých V7 čipů. Ovšem SAMSUNG už mluví také o V8 generaci. Ta by měla přinést ještě výraznější posun. Nabídnout ty čipy už totiž mají blíže neupřesněných více než 200 vrstev, současně tedy o 40% vyšší hustotu a k dispozici mají být také v 1 Tbit provedení, místo jen dosavadních 512 Gbit. Tedy potenciálně tohle by mohla být i vzhledem ke zvýšení výkonu a rychlostí, první generace PCIe 5.0 SSD, u kterých by tohle rozhraní mohlo dávat i smysl z hlediska dosahovaného výkonu.
Na druhou stranu lze čekat, že V8 NAND se neobjeví v produkci dříve, jak koncem roku 2022, spíše až v průběhu 2023, takže reálně se V8 SSD dočkáme právě někdy kolem poloviny roku 2023, kdy už bude PCIe 5.0 celkem rozšířené atd. Jinak se možná ptáte, kam až bude možné počet vrstev vlastně hnát. SAMSUNG nyní uvádí, že limitujícím faktorem je fyzická výška čipů, technicky prý není takový problém udělat těch vrstev ještě více. Aktuálně uvádí limit pro současné technologie zhruba 500 vrstev. Což už by byl problém pro nástupce V8 generace. Nicméně u toho se prostě nezastavíme.
Vedle vývoje rychlosti NAND je ale ještě důležitější vývoj řadičů a také SW a celých systémů, aby tu rychlost a možnosti SSD vůbec nějak využívaly. Což se dnes u řady BĚŽNÝCH věcí prostě neděje. Například u současných her a většiny aplikací je v praxi velmi malý (= nepostřehnutelný) rozdíl, jestli váš SSD nabízí 500MB/s nebo má 7000MB/s. Současně i ta rychlá SSD dnes lákají na rychlosti už přes 7000MB/s pro čtení až 6000MB/s pro zápis. Ovšem v běžné praxi tuhle rychlost zdaleka nenabízí, a po vyčerpání SLC paměti navíc ještě výrazně rychlosti klesnou, často i pod 2000MB/s u nejlepších modelů, ne li kolem 1500MB/s u těch běžných. Takže k čemu je pak mít na těch SSD řadič a M.2 rozhraní jako PCIe 4.0 s potenciálem 7500MB/s, nebo dokonce nové PCIe 5.0, které v M.2 provedení má potenciál rovnou 14 000MB/s?
Vývoj NAND čipů a SSD zjevně nejde úplně ve všech směrech, tak jak by to bylo vhodné. Výrobci nás ohromují těmi špičkovými rychlostmi, ale běžný výkon stále výrazněji zaostává. SAMSUNG je jeden z mála výrobců, který s tím může něco udělat. Jinak je zajímavé, že Intel, který před lety slavnostně oznámil 3DXpoint technologii, která měla NAND udělat rychle přežitý, nedávno z celé věci vycouval a 3DXpointu se zbavil a SSD podnikání prodal Hynixu. Nevypadá to zjevně, že by něco NAND technologii v dohledné době nahradilo, a vývoj NAND stojí velké peníze, výroba také, ovšem marže vzhledem ke konkurenčnímu prostředí nejsou nic moc. I když samozřejmě je to velký business a ještě poroste. SSD jsou dnes už jasně nejlepší diskovou technologií, alespoň pokud jde o výkon. Poměr cena/kapacita samozřejmě stále zdaleka zaostává za HDD a zaostávat bude. Ale i tady se výrobci snaží, i když za cenu používání 4-bit QLC atd. Zkrátka zatím ale jde všechno v zajetých kolejí a nějaká revoluce místo SSD není na pořadu dne …
| AUTOR: Jan "DD" Stach |
|---|
| Radši dělám věci pomaleji a pořádně, než rychle a špatně. |
| Komentáře |
|
| ||||||
